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STGD8NC60KDT4 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 STMICROELECTRONICS/意法半导体
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原厂料号:STGD8NC60KDT4品牌:ST/意法半导体
STGD8NC60KDT4是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ST/意法半导体/STMicroelectronics生产封装N/A/TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63的STGD8NC60KDT4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 类型
描述
- 产品编号:
STGD8NC60KDT4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
- 系列:
PowerMESH™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.75V @ 15V,3A
- 开关能量:
55µJ(开),85µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
17ns/72ns
- 测试条件:
390V,3A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
DPAK
- 描述:
IGBT 600V 15A 62W DPAK
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