首页>STGD14NC60KT4>芯片详情

STGD14NC60K 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 STMICROELECTRONICS/意法半导体

STGD14NC60K参考图片

图片仅供参考,请参阅产品规格书

订购数量 价格
1+
  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:STGD14NC60K品牌:STM

STGD14NC60K是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商STM/STMicroelectronics生产封装TO-252/TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63的STGD14NC60K晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    STGD14NC60K

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情

  • 厂商全称:

    STMicroelectronics

  • 中文名称:

    意法半导体(ST)集团

  • 内容页数:

    16 页

  • 文件大小:

    435.74 kb

  • 资料说明:

    N-channel 14A - 600V -DPAK - D2PAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    STGD14NC60KT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,7A

  • 开关能量:

    82µJ(开),155µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    22.5ns/116ns

  • 测试条件:

    390V,7A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 600V 25A 80W DPAK

供应商

  • 企业:

    深圳市和悦电子贸易有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    吴小姐

  • 手机:

    13554927845

  • 询价:
  • 电话:

    13554927845

  • 地址:

    深圳市福田区福田社区牛巷坊89号