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STGB7NB60FDT4中文资料PDF规格书

STGB7NB60FDT4
厂商型号

STGB7NB60FDT4

功能描述

N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH IGBT

文件大小

505.76 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-21 22:30:00

STGB7NB60FDT4规格书详情

DESCRIPTION

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has de signed an advanced family of IGBTs, the Power MESH™ IGBTs, with outstanding perfomances. The suffix F identifies a family optimized to achieve very low switching switching times for high frequency applications (

■ HIGH INPUT IMPEDANCE

■ LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat)

■ OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT

■ LOW GATE CHARGE

■ HIGH CURRENT CAPABILITY

■ HIGH FREQUENCY OPERATION

■ CO-PACKAGED WITH TURBOSWITCH™ ANTIPARALLEL DIODE

APPLICATIONS

■ MOTOR CONTROLS

■ SMPS AND PFC AND BOTH HARD SWITCH AND RESONANT TOPOLOGIES

产品属性

  • 型号:

    STGB7NB60FDT4

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

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