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STGB7NB40LZ分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

STGB7NB40LZ
厂商型号

STGB7NB40LZ

参数属性

STGB7NB40LZ 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 430V 14A 100W D2PAK

功能描述

N-CHANNEL CLAMPED 14A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH??IGBT
IGBT 430V 14A 100W D2PAK

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

文件大小

391.41 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 23:00:00

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STGB7NB40LZ规格书详情

STGB7NB40LZ属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGB7NB40LZ晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

DESCRIPTION

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The built in collector-gate zener exhibits a very precise active clamping while the gate-emitter zener supplies an ESD protection.

■ POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN

■ LOW THRESHOLD VOLTAGE

■ LOW ON-VOLTAGE DROP

■ LOW GATE CHARGE

■ HIGH CURRENT CAPABILITY

■ HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURE

APPLICATIONS

■ AUTOMOTIVE IGNITION

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STGB7NB40LZT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 5V,14A

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    900ns/4.4µs

  • 测试条件:

    300V,46 欧姆,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 430V 14A 100W D2PAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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