STGB35N35LZT4 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 STMICROELECTRONICS/意法半导体

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1+	面议

厂家型号：
STGB35N35LZT4
产品分类：
芯片
生产厂商：
STMICROELECTRONICS/意法半导体
库存数量：
833
产品封装：
生产批号：
23+/22+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-6-19 13:40:00

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原厂料号：STGB35N35LZT4品牌：STMicroelectronics

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STGB35N35LZT4是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商STMicroelectronics生产封装TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB的STGB35N35LZT4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
STGB35N35LZT4
规格书：
下载下载2
企业简称：
STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情
厂商全称：
STMicroelectronics
中文名称：
意法半导体（ST）集团
内容页数：
18 页
文件大小：
720.09 kb
资料说明：
Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ

产品属性

类型
描述
产品编号：
STGB35N35LZT4
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 4.5V，15A
输入类型：
逻辑
25°C 时 Td（开/关）值：
1.1µs/26.5µs
测试条件：
300V，15A，5V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D²PAK（TO-263）
描述：
IGBT 345V 40A 176W D2PAK

供应商

企业：
深圳市慧拓科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
吕小姐
手机：
13760444679
询价：
电话：
0755-83616539/83616520/83208145/83616527
传真：
0755-83616535
地址：
深圳市福田区振中路航都大厦18楼K室

STGB35N35LZT4 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 STMICROELECTRONICS/意法半导体

STGB35N35LZT4

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