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STGB35N35LZ-1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
STGB35N35LZ-1 |
参数属性 | STGB35N35LZ-1 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 345V 40A 176W I2PAK |
功能描述 | Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ |
封装外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
文件大小 |
720.09 Kbytes |
页面数量 |
18 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体集团官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-2 23:00:00 |
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STGB35N35LZ-1规格书详情
STGB35N35LZ-1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGB35N35LZ-1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
Description
This application specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gate emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition system.
Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Low threshold voltage
• Low on-voltage drop
• High voltage clamping feature
• Logic level gate charge
• ESD gate-emitter protection
• Gate and gate-emitter integrated resistors
Application
• Automotive ignition
产品属性
更多- 产品编号:
STGB35N35LZ-1
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
PowerMESH™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.7V @ 4.5V,15A
- 输入类型:
逻辑
- 25°C 时 Td(开/关)值:
1.1µs/26.5µs
- 测试条件:
300V,15A,5V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商器件封装:
I2PAK(TO-262)
- 描述:
IGBT 345V 40A 176W I2PAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
26250 |
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ST |
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ST/意法 |
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TO-262 |
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ST |
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TO-263 |
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TO-263 |
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STMicroelectronics |
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ST/意法 |
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N |
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STMicroelectronics |
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TO-262-3 长引线 I?Pak TO-26 |
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