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STGB20V60DF	文件：2.09008 Mbytes Page：23 Pages	600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBT 文件：2.09008 Mbytes 页数：23 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
STGB20V60DF	文件：2.09008 Mbytes Page：23 Pages	Low thermal resistance 文件：2.09008 Mbytes 页数：23 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB20V60DF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. The device is part of the \"V\" series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermor • Maximum junction temperature: TJ= 175 °C\n• Very high speed switching series\n• Tail-less switching off\n• Low saturation voltage: VCE(sat)= 1.8 V (typ.) @ IC= 20 A\n• Tight parameters distribution• Safe paralleling\n• Low thermal resistance\n• Very fast soft recovery antiparallel diode\n• Lead fr;	ST 意法半导体	ST
STGB20V60F	文件：1.55903 Mbytes Page：18 Pages	600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBT 文件：1.55903 Mbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGFW20V60DF	文件：709.57 Kbytes Page：15 Pages	Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed 文件：709.57 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGFW20V60F	文件：1.61814 Mbytes Page：19 Pages	600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBT 文件：1.61814 Mbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
D2PAK
Grade：
Industrial
VCES_max(V)：
600
PTOT_max(W)：
167
Freewheeling diode：
true
IC_max(@ Tc=100°C)(A)：
20
IC_max(@ Tc=25°C)(A)：
40
IF_max(@ Tc=100°C)(A)：
20
IF_max(@ Tc=25°C)(A)：
40
VCE(sat)_typ(V)：
1.8
VF_typ(V)：
1.7
Qg_typ(nC)：
116
Eon_typ(mJ)：
0.2
Eoff_typ(mJ)：
0.13
Err_typ(µJ)：
115
Qrr_typ(nC)：
320

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