订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>STGB10NC60HDT4>详情
STGB10NC60HDT4_ST/意法半导体_IGBT 晶体管 N Ch 10A 600V华鑫创达电子
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
STGB10NC60HDT4
- 功能描述:
IGBT 晶体管 N Ch 10A 600V
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
650 V
- 集电极—射极饱和电压:
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压:
20 V 在25
- C的连续集电极电流:
150 A
- 栅极—射极漏泄电流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封装/箱体:
TO-247
- 封装:
Tube
供应商
- 企业:
深圳市华鑫创达电子有限公司
- 商铺:
- 联系人:
李先生
- 手机:
15361826756
- 询价:
- 电话:
0755-83233729
- 传真:
0755-83233729
- 地址:
福田区华强北街道振兴西路华康大厦2栋3楼315室
相近型号
- STGB10N60L
- STGB14NC60KDT4
- STGB10M65DF2
- STGB10HF60KD
- STGB15H60DF
- STGB10H60DF
- STGB15M65DF2
- STGAP4STR
- STGB18N40LZT4
- STGAP2SMTR
- STGB19NC60H
- STGAP2SM
- STGB19NC60HD
- STGAP2SICSTR
- STGB19NC60HDT4
- STGAP2SICSNTR
- STGB19NC60KD
- STGAP2SICSNCTR
- STGB19NC60KDT4
- STGAP2SICSCTR
- STGAP2SICSC
- STGB19NC60S
- STGAP2SICS
- STGB19NC60W
- STGAP2SICDTR
- STGB2012-000PT
- STGAP2SCMTR
- STGB2012-190PT
- STGAP2SCM
- STGB2012-202PT
- STGAP2HSMTR
- STGB20H60DF
- STGAP2HSCMTR
- STGB20H65DFB2
- STGAP2HDMTR
- STGB20M65DF2
- STGAP2DMTR
- STGB20N40LZ
- STGAP2DM
- STGB20N45LZAG
- STGAP1BSTR
- STGB20NB32LZ
- STGAP1BS
- STGB20NB32LZ-1
- STGAP1AS
- STGB20NB37LZ
- STG8211
- STGB20NB37LZT4
- STG8210
- STGB20NB41LZ