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STG35M120F3D7	文件：184.01 Kbytes Page：9 Pages	1200 V, 35 A, trench gate field-stop, M series, low-loss IGBT die in D7 packing Features •10μsofshort-circuitwithstandtime •LowVCE(sat)=1.85V(typ.)@IC=35A •PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient •Tightparameterdistribution •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C Applications •Motorcontrol •Industrialdrives •PFC •UPS •Solar •Ge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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STG35M120F3D7

文件：184.01 Kbytes

Page：9 Pages

1200 V, 35 A, trench gate field-stop, M series, low-loss IGBT die in D7 packing

Features •10μsofshort-circuitwithstandtime •LowVCE(sat)=1.85V(typ.)@IC=35A •PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient •Tightparameterdistribution •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C Applications •Motorcontrol •Industrialdrives •PFC •UPS •Solar •Ge

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更多STG35M120F3D7供应商更新时间2024-9-25 13:30:00

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