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STFW6N120K3中文资料N-channel 1200 V, 1.95 Ohm, 6 A Zener-protected SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-3PF package数据手册ST规格书
STFW6N120K3规格书详情
描述 Description
These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.
特性 Features
100% avalanche tested
Extremely large avalanche performance
Gate charge minimized
Very low intrinsic capacitances
Zener-protected
技术参数
- 型号：
STFW6N120K3
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 1200V 1.95 Ohm 6A Zener SuperMESH3
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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