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STD5N95K3	文件：298.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=950V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=3.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD5N95K3	文件：1.41415 Mbytes Page：23 Pages	N-channel950V,3ohmtyp,4AZener-protectedSuperMESH3 Description TheseSuperMESH3™PowerMOSFETsaretheresultofimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technology,combinedwithanewoptimizedverticalstructure.Thesedevicesboastanextremelylowonresistance,superiordynamicperformanceandhighavalanchecapability,render	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF5N95K3	文件：1.41415 Mbytes Page：23 Pages	N-channel950V,3ohmtyp,4AZener-protectedSuperMESH3 Description TheseSuperMESH3™PowerMOSFETsaretheresultofimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technology,combinedwithanewoptimizedverticalstructure.Thesedevicesboastanextremelylowonresistance,superiordynamicperformanceandhighavalanchecapability,render	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STU5N95K3	文件：1.41415 Mbytes Page：23 Pages	N-channel950V,3ohmtyp,4AZener-protectedSuperMESH3 Description TheseSuperMESH3™PowerMOSFETsaretheresultofimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technology,combinedwithanewoptimizedverticalstructure.Thesedevicesboastanextremelylowonresistance,superiordynamicperformanceandhighavalanchecapability,render	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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更多STF5N95K3其他被动元件供应商更新时间2025-7-29 10:02:00

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