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STF33N65M2规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, the devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (Coss) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STF33N65M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220FP
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.14
- Drain Current (Dc)_max(A)
：24
- PTOT_max(W)
：190
- Qg_typ(nC)
：41.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
7250 |
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询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO220F |
20300 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220FP-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ST |
16+ |
TO-220F |
4000 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220FP-3 |
8860 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-220FP-3 |
10000 |
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ST原装 |
25+23+ |
TO-220F |
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ST |
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TO220F |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220FP-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
