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STF16N60M6数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

STF16N60M6

参数属性

STF16N60M6 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 600V TO220-3 FP

功能描述

N沟道600 V、0.29 Ohm典型值、12 A MDmesh M6功率MOSFET,TO-220FP封装
MOSFET N-CH 600V TO220-3 FP

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-11 18:34:00

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STF16N60M6规格书详情

描述 Description

The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) * area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.

特性 Features

• Reduced switching losses
• Lower RDS(on) x area vs previous generation
• Low gate input resistance
• 100% avalanche tested
• Zener-protected

简介

STF16N60M6属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STF16N60M6晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STF16N60M6

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220FP

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.32

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :12

  • PTOT_max(W)

    :110

  • Qg_typ(nC)

    :15

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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