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STF140N8F7

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:311.95 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STF140N8F7

High avalanche ruggedness

文件:591.65 Kbytes 页数:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STF140N8F7

N-channel 80 V, 3.5 mOhm typ., 64 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220FP package

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。\n • 处于市面上最低的RDS(on)行列\n• 出色的品质因数(FoM)• 较低的Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力\n• 坚固的抗雪崩能力;

ST

意法半导体

STP140N8F7

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:963.46 Kbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

STP140N8F7

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:321.24 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STP140N8F7

High avalanche ruggedness

文件:587.89 Kbytes 页数:13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

技术参数

  • Package:

    TO-220FP

  • Grade:

    Industrial

  • VDSS(V):

    80

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.0043

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    64

  • PTOT_max(W):

    35

  • Qg_typ(nC):

    96

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多STF140N8F7供应商 更新时间2025-11-30 16:04:00