N沟道1200 V、0.62 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220FP封装

这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。 • 业界领先的低 RDS(on)x 面积 \n• 业界出色的品质因数（FoM） \n• 极低的栅极电荷 \n• 经过100％雪崩测试 \n• 稳压保护;

ST

意法半导体

Ultra low gate charge

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意法半导体

Ultra low gate charge

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意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1200V(Min) -RDS(on) = 0.69Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

Worldwide best FOM

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