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STF11N65K3

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.30875 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

STF11N65M2

Extremely low gate charge

文件:741.12 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STF11N65M5

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:291.95 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STF11NM50N

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:310.32 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STF11NM60N

isc N-Channel Mosfet Transistor

文件:309 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STF11NM60N

N-channel 600 V - 0.37 廓 - 10 A - TO-220 - TO-220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK second generation MDmesh??Power MOSFET

文件:623.95 Kbytes 页数:21 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STF11NM60ND

N-channel 600 V, 0.37 廓, 10 A, FDmesh??II Power MOSFET I2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK

文件:756.46 Kbytes 页数:19 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STF11NM60ND

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:310.33 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STF11NM80

N-channel 800 V, 0.35 廓, 11 A MDmesh??Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247

文件:949.78 Kbytes 页数:17 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STF11NM80

N-channel 800 V - 0.35 廓 - 11 A - TO-220/FP- D2PAK - TO-247 MDmesh??Power MOSFET

文件:467.13 Kbytes 页数:17 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

技术参数

  • Width (mm):

    5.00

  • Height (mm):

    2.50

  • Inductance (µH):

    10.0

  • DCR (Ω):

    35.00

  • IDC (mA):

    1400

  • Isat (mA):

    1400

  • Packing (Reel):

    2000

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST(意法)
23+
NA
20094
原装正品 可支持验货,欢迎咨询
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ST
23+
TO-220F
5000
专做原装正品,假一罚百!
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22+
TO-220F
5000
原装现货库存.价格优势
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36800
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TO-220
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TO-220F
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TO-220
6200
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更多STF供应商 更新时间2026-1-18 10:15:00