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STE110NS20FD

N-CHANNEL 200V - 0.022W - 110A ISOTOP MESH OVERLAY??Power MOSFET

n TYPICAL RDS(on) = 0.022Ω n EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY n 100 AVALANCHE TESTED n GATE CHARGE MINIMIZED n ± 20V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING n LOW INTRINSIC CAPACITANCE n FAST BODY-DRAIN DIODE:LOW trr, Qrr DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelec

文件:277.87 Kbytes 页数:8 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STE110NS20FD

N-channel 200V - 0.022廓 - 110A - ISOTOP MESH OVERLAY??Power MOSFET

文件:242.85 Kbytes 页数:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STE110NS20FD_06

N-channel 200V - 0.022廓 - 110A - ISOTOP MESH OVERLAY??Power MOSFET

文件:242.85 Kbytes 页数:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STF10N80K5

TO-220F

ST

STF11NM80

TO220F

ST

详细参数

  • 型号:

    STE110NS20FD

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 200 Volt 110 A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
STMicroelectronics
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更多STE110NS20FD供应商 更新时间2026-1-20 23:00:00