Triple half-bridge high-voltage gate driver

Features • High voltage rail up to 600 V • Driver current capability: – 200 mA source current @ 25 °C – 350 mA sink current @ 25 °C • dV/dt transient immunity ±50 V/ns • Gate driving voltage range from 9 V to 20 V • Overall input-output propagation delay: 85 ns • Matched propagation delay

文件：406.8 Kbytes 页数：26 Pages

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意法半导体

三半桥高压栅极驱动器

STDRIVE601是采用BCD6s离线技术制造的高压器件。它是一种带有三重半桥栅极驱动器的单晶片，面向N沟道功率MOSFET或IGBT（适合于三相应用）。\n\n 所有器件输出可以分别提供350 mA的灌电流和200 mA的拉电流。互锁和死区功能可防止交叉传导。\n\n 该器件有专门的输入引脚（对应每个输出）和关断引脚。逻辑输入兼容CMOS/TTL（可低至3.3 V），易于与控制器件连接。低侧和高侧之间的匹配时延保证脉冲不失真，允许高频操作。\n\n STDRIVE601内嵌的比较器集成了先进的SmartSD功能，确保快速有效地防止过流、超温等故障发生。\n\n 在低侧和每个高侧驱动部分有专 • 高压导轨达600 V \n• 驱动器电流能力： \n •STDRIVE601： \n •200 mA 拉电流 @ 25 °C \n •350 mA 灌电流 @ 25 °C \n• dV/dt瞬态抗扰度±50 V/ns \n• 栅极驱动电压范围：9 V 至20 V \n• 总输入 - 输出传播延迟：85 ns \n• 面向所有通道的匹配传播时延 \n• 具有迟滞的3.3 V，5 V TTL / CMOS输入• 集成自举二极管 \n• 比较器，用于快速过流保护 \n• 智能关断功能 \n• 互锁和死区功能 \n• 专用的使能引脚 \n• 在低侧和高侧实现UVLO功能;

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意法半导体

Package：28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 全半桥驱动器 描述：TRIPLE HALF-BRIDGE HIGH-VOLTAGE

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Triple half-bridge high-voltage gate driver

Features • High voltage rail up to 600 V • Driver current capability: – 200 mA source current @ 25 °C – 350 mA sink current @ 25 °C • dV/dt transient immunity ±50 V/ns • Gate driving voltage range from 9 V to 20 V • Overall input-output propagation delay: 85 ns • Matched propagation delay

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Package：28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 全半桥驱动器 描述：TRIPLE HALF-BRIDGE HIGH-VOLTAGE

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