Compact, customizable and configurable reference design for battery operated BLDC/PMSM power tools based on STM32G473 and STDRIVE 101

Features • Input voltage from 12 to 28 V DC (Nominally 21 V) • Output RMS current up to 20A • The board comprises the following key devices: – STM32G473CET6: A high-performance Arm®-based Cortex®-M4 32-bit MCU+FPU in LQFP48 (7x7mm) package. The MCU embeds trigonometric and arithmetic math ac

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意法半导体

Triple half-bridge gate driver

Features • Operating voltage from 5.5 to 75 V • 600 mA sink/source current capability • 3.3 V and 5 V control logic • Two input strategies: – ENx/INx with adjustable deadtime generation – INHx/INLx with interlocking • Matched propagation delay for all channels • Very short propagation dela

文件：882.78 Kbytes 页数：32 Pages

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STDRIVE101 demonstration board for three-phase brushless motors

文件：959.94 Kbytes 页数：13 Pages

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Triple half-bridge gate driver

STDRIVE101是适用于驱动三相无刷电机的低压栅极驱动器。\n\n 它是一种带有三重半桥栅极驱动器的单晶片，面向N沟道功率MOSFET。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌/拉）。它集成了一个低压降线性稳压器，可通过自举电路为低侧和高侧栅极驱动器生成电源电压。\n\n 该器件在低侧和高侧部分均提供欠压锁定（UVLO），可防止电源开关在低效率或危险条件下工作。\n\n 集成在STDRIVE101中的控制逻辑允许两种输入策略（高侧和低侧或启用和PWM驱动信号）。根据DT/MODE引脚选择驱动方式。这两种情况下，互锁或内部产生的死区时间可确保防止交叉传导。\n\n STDRIVE101还具有用 • 工作电压：5.5至75 V \n• 600 mA灌/拉电流能力 \n• 3.3 V和5 V控制逻辑 \n• 两种输入策略： \n •带生成死区时间可调的ENx/INx \n •带互锁的INHx/INLx \n• 面向所有沟道的匹配传播时延 \n• 极短的传输延时：40 ns• 集成自举二极管 \n• 12 V LDO线性稳压器（最大50 mA） \n• 用于每个外部MOSFET的嵌入式VDS监控器 \n• 过流比较器 \n• UVLO和热关断保护 \n• 低电流消耗运行的待机模式;

ST

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Package：24-VFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 全半桥驱动器 描述：GATE DRIVER

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Triple half-bridge gate driver

Features • Operating voltage from 5.5 to 75 V • 600 mA sink/source current capability • 3.3 V and 5 V control logic • Two input strategies: – ENx/INx with adjustable deadtime generation – INHx/INLx with interlocking • Matched propagation delay for all channels • Very short propagation dela

文件：882.78 Kbytes 页数：32 Pages

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意法半导体

Package：28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 全半桥驱动器 描述：GATE DRIVER

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