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STD9N65DM6AG中文资料Automotive-grade N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 9 A MDmesh DM6 Power MOSFET in DPAK package数据手册ST规格书
STD9N65DM6AG规格书详情
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Fast-recovery body diode
• Lower RDS(on) per area vs previous generation
• Low gate charge, input capacitance and resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STD9N65DM6AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.44
- Drain Current (Dc)_max(A)
：9
- PTOT_max(W)
：89
- Qg_typ(nC)
：11.7
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：80
- Qrr_typ(nC)
：290
- Peak Reverse Current_nom(A)
：7.2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO252 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
STM |
23+ |
TO-252-3 (DPAK) |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
2223+ |
TO-252 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
STM |
23+ |
TO 252 DPAK |
5000 |
原装现货支持送检 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
TO-252-3 |
10000 |
原装公司现货 |
询价 |
