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STD9N10-1

丝印:D9N10;Package:IPAK;N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 9A DPAK/IPAK POWER MOS TRANSISTOR

FEATURES SUMMARY ■ TYPICAL RDS(on) = 0.23 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ 175°C OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAG

文件:278.05 Kbytes 页数:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD9N10-1

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:1.05699 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STD-MUD-2

STDP2600

BGA-81

ST

STDP2600ADT

FBGA

KINETIC

芯凯电子

上传:深圳市科恒伟业电子有限公司

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更多STD9N10-1供应商 更新时间2026-1-26 16:21:00