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STD95P3LLH6AG分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
STD95P3LLH6AG |
参数属性 | STD95P3LLH6AG 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK |
功能描述 | Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mΩ typ., -80 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a DPAK package |
丝印标识 | |
封装外壳 | DPAK |
文件大小 |
731.16 Kbytes |
页面数量 |
16 页 |
生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
中文名称 | 意法半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-7 23:00:00 |
人工找货 | STD95P3LLH6AG价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
STD95P3LLH6AG规格书详情
STD95P3LLH6AG属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由意法半导体集团制造生产的STD95P3LLH6AG晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
特性 Features
Designed for automotive applications and
AEC-Q101 qualified
Very low on-resistance
Very low gate charge
High avalanche ruggedness
Low gate drive power loss
Logic level
Applications
Switching applications
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET
developed using the STripFET™ H6 technology
with a new trench gate structure. The resulting
Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all
packages.
产品属性
更多- 产品编号:
STD95P3LLH6AG
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 系列:
STripFET™ H6
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
80A(Tj)
- 描述:
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
DPAK |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO220 |
20327 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
8860 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
VBsemi |
25+ |
TO252 |
10026 |
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询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
38550 |
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询价 |