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STD95P3LLH6AG分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

STD95P3LLH6AG

参数属性

STD95P3LLH6AG 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

功能描述

Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mΩ typ., -80 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a DPAK package
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

丝印标识

95P3LLH6

封装外壳

DPAK

文件大小

731.16 Kbytes

页面数量

16

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-7 23:00:00

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STD95P3LLH6AG规格书详情

STD95P3LLH6AG属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由意法半导体集团制造生产的STD95P3LLH6AG晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

特性 Features

 Designed for automotive applications and

AEC-Q101 qualified

 Very low on-resistance

 Very low gate charge

 High avalanche ruggedness

 Low gate drive power loss

 Logic level

Applications

 Switching applications

描述 Description

This device is a P-channel Power MOSFET

developed using the STripFET™ H6 technology

with a new trench gate structure. The resulting

Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all

packages.

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STD95P3LLH6AG

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    STripFET™ H6

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    80A(Tj)

  • 描述:

    MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

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