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STD8NM60N-1规格书详情
描述 Description
This series of devices implements second generation MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the Company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
STD8NM60N-1
- 功能描述：
MOSFET N-Channel 600V Pwr Mosfet
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STM |
23+ |
TO-252 |
3201 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO251 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
STM |
24+ |
TO-252 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST |
26+ |
TO-251PBF |
60000 |
只有原装 可配单 |
询价 | ||
STM |
24+ |
TO-252 |
25836 |
新到现货，只做全新原装正品 |
询价 | ||
ST |
2025+ |
TO-251-3 |
3577 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
721 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-251PBF |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
DPAK |
2500 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 |
