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STD8N60DM2	文件：286.12 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=600mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·PFCCircuits ·ACandDCMotorDrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD8N60DM2	文件：823.9 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 600 V, 550 m(ohm) typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF8N60DM2	文件：714.55 Kbytes Page：13 Pages	N-channel600V,550mΩtyp.,8AMDmeshTMDM2PowerMOSFETinaTO-220FPpackage Features Fast-recoverybodydiode Extremelylowgatechargeandinput capacitance Lowon-resistance 100avalanchetested Extremelyhighdv/dtruggedness Zener-protected Description ThishighvoltageN-channelPowerMOSFETis partoftheMDmesh™DM2fastrecoverydiode seri	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=600mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·PFCCircuits ·ACandDCMotorDrives

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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N-channel 600 V, 550 m(ohm) typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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N-channel600V,550mΩtyp.,8AMDmeshTMDM2PowerMOSFETinaTO-220FPpackage

Features Fast-recoverybodydiode Extremelylowgatechargeandinput capacitance Lowon-resistance 100avalanchetested Extremelyhighdv/dtruggedness Zener-protected Description ThishighvoltageN-channelPowerMOSFETis partoftheMDmesh™DM2fastrecoverydiode seri

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更多STD8N60DM2供应商更新时间2025-5-1 17:02:00

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