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STD5406N	文件：82.27 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：82.27 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
STD5406NT4G	文件：1.043349 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Advanced Mode Power MOSFET Features  VDS= 40V, ID= 150A RDS(ON) 文件：1.043349 Mbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
STD5406NT4G	文件：82.27 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：82.27 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
STD5406NT4G-VF01	文件：82.27 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：82.27 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
STD5406N	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET 40V，70A，10 mΩ，单 N 沟道，DPAK。汽车功率 MOSFET，40V，70A，10 mΩ，单 N 沟道，DPAK。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。 • Low RDS(on)\n• Low Gate Charge\n• These are Pb-Free Devices\n;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
STD5406NT4G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

更多STD5406N供应商更新时间2025-10-7 14:02:00