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STD4N80K5中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STD4N80K5

功能描述

N-channel 800 V, 2.1 ??typ., 3 A MDmesh??K5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages

丝印标识

4N80K5

封装外壳

DPAK

文件大小

1.30035 Mbytes

页面数量

23

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-2 22:59:00

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STD4N80K5规格书详情

描述 Description

These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

特性 Features

• Industry’s lowest RDS(on) x area

• Industry’s best figure of merit (FoM)

• Ultra low gate charge

• 100 avalanche tested

• Zener-protected

Applications

• Switching applications

产品属性

  • 型号:

    STD4N80K5

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    POWER MOSFET - Tape and Reel

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

  • 功能描述:

    STD4N80K5 Series 800 V 3 A 2.5 Ohm N-channel Power MOSFET - TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMICROELECTRONICS
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