N-channel 60 V, 0.012 Ohm typ., 15 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。\n • 处于市面上最低的 RDS(on) 行列\n• 出色的品质因数（FoM）• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力\n• 坚固的抗雪崩能力;

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意法半导体

丝印：46N6F7；Package：DPAK；N-channel 60 V, 0.012 廓 typ., 15 A STripFET??F7 Power MOSFET in a DPAK package

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STMICROELECTRONICS

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