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STD40P8F6AG中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STD40P8F6AG

功能描述

Automotive-grade P-channel -80 V, 18.5 m typ., -40 A STripFETTM F6 Power MOSFET in a DPAK package

文件大小

723.08 Kbytes

页面数量

16

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-9 19:33:00

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STD40P8F6AG规格书详情

特性 Features

 Designed for automotive applications and

AEC-Q101 qualified

 Very low on-resistance

 Very low gate charge

 High avalanche ruggedness

 Low gate drive power loss

描述 Description

This device is a P-channel Power MOSFET

developed using the STripFET™ F6 technology,

with a new trench gate structure. The resulting

Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all

packages.

Applications

 Switching applications

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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