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N-ChannelMOSFET FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·ATXandGamingPowerSupplies ·SwitchSupplies ·SynchronousRectificationinSMPS | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
P-channel500V,3廓typ.,2.8AZener-protectedSuperMESH??PowerMOSFETinaDPAKpackage | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS |
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