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STD3NK80Z-1中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
| 厂商型号 |
STD3NK80Z-1 |
| 功能描述 | N-channel 800 V, 3.8 Ω typ., 2.5 A SuperMESH™ Power MOSFETs in IPAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 packages |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | IPAK |
| 文件大小 |
1.36185 Mbytes |
| 页面数量 |
29 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-24 10:31:00 |
| 人工找货 | STD3NK80Z-1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STD3NK80Z-1规格书详情
Features
Extremely high dv/dt capability
100 avalanche tested
Gate charge minimized
Zener-protected
Applications
Switching applications
Description
These high voltage devices are Zener-protected
N-channel Power MOSFETs developed using the
SuperMESH™ technology by
STMicroelectronics, an optimization of the
well-established PowerMESH™. In addition to a
significant reduction in on-resistance, these
devices are designed to ensure a high level of
dv/dt capability for the most demanding
applications. Such series complements ST's full
range of high voltage MOSFETs including the
revolutionary MDmesh™ products.
产品属性
- 型号：
STD3NK80Z-1
- 功能描述：
MOSFET N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2021+ |
TO-251 |
7600 |
原装现货，欢迎询价 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-251 |
7845 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST |
24+ |
QFN |
33000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
ST专家 |
23+24 |
IPAK |
59340 |
原装正品,原盘原标,优势库存 |
询价 | ||
ST |
1709+ |
TO-252/D-PAK |
32500 |
普通 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
TO-251(IPAK) |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-251 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
22+ |
NA |
3000 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-251-3 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 |
