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STD3NK60Z-1中文资料N沟道600 V、3.2 Ohm典型值、2.4 A SuperMESH功率MOSFET，IPAK封装数据手册ST规格书
STD3NK60Z-1规格书详情
描述 Description
These high-voltage devices are Zener-protected N-channel Power MOSFETs developed using the SuperMESH™ technology by STMicroelectronics, an optimization of the well-established PowerMESH™. In addition to a significant reduction in on-resistance, these devices are designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
特性 Features
• Extremely high dv/dt capability
• 100% avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STD3NK60Z-1
- 生产厂家
：ST
- Package
：IPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：3.6
- Drain Current (Dc)_max(A)
：2.4
- PTOT_max(W)
：45
- Qg_typ(nC)
：11.8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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TO-251 |
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ST |
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TO-251 |
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ST |
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TO251 |
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ST |
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TO-251 |
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ST(意法半导体) |
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TO-251-3 短引线IPakT |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-251-3 |
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