STD3N62K3中文资料N沟道620 V、2.2 Ohm典型值、2.7 A SuperMESH3(TM) 功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD3N62K3规格书详情
描述 Description
These MDmesh™ K3 Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ MDmesh™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt capability
• Very low intrinsic capacitance
• Improved diode reverse recovery characteristics
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STD3N62K3
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：620
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：2.5
- Drain Current (Dc)_max(A)
：2.7
- PTOT_max(W)
：45
- Qg_typ(nC)
：13
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
TO-252 |
32360 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
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ST/意法半导体 |
26+ |
TO-252-3 |
60000 |
只有原装 可配单 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
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STMicroelectronics |
21+ |
DPAK |
2500 |
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ST/意法 |
21+ |
TO-252 |
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ST/意法 |
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TO-252 |
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ST原装 |
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STM |
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ST(意法) |
25+ |
封装 |
500000 |
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