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STD37P3H6AG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive-grade P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -49 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.\n • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified\n• Very low on-resistance\n• Very low gate charge• High avalanche ruggedness\n• Low gate drive power loss;	ST 意法半导体	ST
STD37P3H6AG	文件：313.01 Kbytes Page：16 Pages	丝印：37P3H6；Package：DPAK；Automotive-grade P-channel -30 V, 11 m廓 typ., -49 A STripFET??H6 Power MOSFET in a DPAK package 文件：313.01 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD3NK60ZT4	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST TO-252	ST 上传：深圳市旺财半导体有限公司	ST
STD4N80K5	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST TO-252	ST 上传：深圳市华康联电子科技有限公司	ST
STD4N90K5	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST TO-252-3	ST 上传：天津市博通航睿技术有限公司	ST

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更多STD37P3H6AG供应商更新时间2025-10-8 11:18:00