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STD35N10	文件：121.83 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	Samhop 三合微科	Samhop
35N10	文件：982.74 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
35N10	文件：49.94 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HMS35N10K	文件：1.0282 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
ME35N10	文件：984.26 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RFH35N10	文件：86.22 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSField-EffectTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFH35N10	文件：217.02 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFIELD-EFFECTTRANSISTORSN-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
RFK35N10	文件：220.39 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFIELD-EFFECTTRANSISTORS,N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
RFK35N10	文件：82.9 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSField-EffectTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
SPB35N10	文件：480.7 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD35N10	文件：1.76597 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPD35N10	文件：556.02 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPI35N10	文件：480.7 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP35N10	文件：480.7 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP35N10	文件：951.86 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STP35N10	文件：139.77 Kbytes Page：8 Pages	SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN	Samhop 三合微科	Samhop
STP35N10	文件：948.96 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
STU35N10	文件：121.83 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	Samhop 三合微科	Samhop
STUD35N10	文件：133.94 Kbytes Page：10 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	Samhop 三合微科	Samhop
SW35N10V	文件：894.16 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancedmodeDFN5*6MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER

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更多STD35N10供应商更新时间2024-4-30 16:50:00

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