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STD30N6LF6AG	文件：309.97 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingpowersupplies,converters,ACandDCmotor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD30N6LF6AG	文件：447.27 Kbytes Page：15 Pages	Marking：30N6LF6；Package：DPAK；Automotive-grade N-channel 60 V, 19 m廓 typ., 24 A STripFET??F6 Power MOSFET in a DPAK package	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingpowersupplies,converters,ACandDCmotor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

STD30N6LF6AG

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Marking：30N6LF6；Package：DPAK；Automotive-grade N-channel 60 V, 19 m廓 typ., 24 A STripFET??F6 Power MOSFET in a DPAK package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

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更多STD30N6LF6AG供应商更新时间2025-5-11 14:13:00

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