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N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | VBSEMI | ||
30VN-ChannelPower GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowermosfetsused advancedtrenchtechnologydesign,providedexcellentRdson andlowgatecharge.WhichaccordswiththeRoHSstandard. Features VDS=30V,ID=90A RDS(ON),3.9mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),6.5mΩ(Typ)@VGS=4.5V Lowon | EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体 | EVVOSEMI | ||
30VN-ChannelPower Features VDS=30V,ID=90A RDS(ON),3.9mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),6.5mΩ(Typ)@VGS=4.5V Lowonresistance Lowgatecharge Fastswitching Lowreversetransfercapacitances | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司 | UMW | ||
30A竊?0VN-CHANNELMOSFET | KIAKIA Semiconductor Technology 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司 | KIA | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●GreenDeviceAvailable Description: TheADM30N03ZusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withl | ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司 | ADV | ||
N-ChannelPowerMOSFET | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司 | JIANGSU | ||
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司 | HMSEMI | ||
N-ChannelMOSFET | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司 | LEIDITECH |
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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