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STD2HNK60Z规格书详情
描述 Description
The SuperMESH™ series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established stripbased PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding application.
Such series complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.
General features
■ Gate charge minimized
■ 100 avalanche tested
■ Extremely high dv/dt capability
■ ESD improved capability
■ New high voltage benchmark
Applications
■ Switching application
产品属性
- 型号：
STD2HNK60Z
- 功能描述：
MOSFET N Ch 600V Zener SuprMESH 4.4 A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
21+ |
DPAK |
12500 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
TO252 |
50000 |
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ST/意法 |
23+ |
TO252 |
6500 |
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询价 | ||
ST |
2024+ |
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70000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
DPAK |
8215 |
原厂原装 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-252-3 |
16900 |
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询价 | ||
ST专家 |
23+ |
DPAK |
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ST/意法半导体 |
24+ |
原厂封装 |
5000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
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STMICRO |
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原厂封装 |
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