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STD24N06L	文件：122.02 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
STD24N06LT4G	文件：122.02 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
24N06	文件：960.29 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
24N06G	文件：897.02 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTD24N06	文件：86.72 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET60Volt,24Amp	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD24N06	文件：126.24 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD24N06	文件：125.72 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET60V,24A,N-ChannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD24N06	文件：259.829 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=45mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD24N06	文件：432.93 Kbytes Page：6 Pages	TransMOSFETN-CH60V24A3-Pin(2Tab)DPAKT/R FEATURES VDS(V)=60V ID=35A(VGS=10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
NTD24N06	文件：413 Kbytes Page：6 Pages	TrenchFET®PowerMOSFET TrenchFET®PowerMOSFET 175°CJunctionTemperature PRODUCTSUMMARY FEATURES VDS(V)=60V ID=35A(VGS=10V) RDS(ON)25m(VGS=10V) RDS(ON)30m(VGS=4.5V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

详细参数

型号：
STD24N06L
功能描述：
MOSFET N CH 60V 24A DPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多STD24N06L供应商更新时间2025-5-2 14:01:00

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