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STD20NE06中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STD20NE06
厂商型号

STD20NE06

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ??SINGLE FEATURE SIZE ??POWER MOSFET

文件大小

96.13 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-2 18:03:00

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STD20NE06规格书详情

DESCRIPTION

This MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

FEATURES SUMMARY

■ TYPICAL RDS(on) = 0.032 Ω

■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

■ FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT SALES OFFICE

APPLICATIONS

■ SOLENOID AND RELAY DRIVERS

■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

■ DC-DC CONVERTERS

■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT

产品属性

  • 型号:

    STD20NE06

  • 功能描述:

    MOSFET RO 511-STD20NF06 511BCY79IX

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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