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STD1NK60中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STD1NK60

功能描述

N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK / IPAK / TO-92 SuperMESH Power MOSFET

文件大小

748.07 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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数据手册

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更新时间

2026-1-17 11:23:00

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STD1NK60规格书详情

DESCRIPTION

The SuperMESH™ series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Such series complements ST full range of high voltage MOS FETs including revolutionary MDmesh™ products.

■ TYPICAL RDS(on) = 8 Ω

■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

■ ESD IMPROVED CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK

■ GATE CHARGE MINIMIZED

APPLICATIONS

■ LOW POWER BATTERY CHARGERS

■ SWITH MODE LOW POWER SUPPLIES(SMPS)

■ LOW POWER, BALLAST, CFL (COMPACT FLUORESCENT LAMPS)

产品属性

  • 型号:

    STD1NK60

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 600 Volt 1.0 A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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