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STD1NB60T4

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.08799 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STD1NK80ZT4

ST/意法
TO-252

ST/意法

STD20NF06LT4

ST
TO-252

ST

STD20NF06LT4MOS(场效应管)

ST/意法
TO-252

ST/意法

STD20NF20

ST
TO-252

ST

详细参数

  • 型号:

    STD1NB60T4

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 1A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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ST
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更多STD1NB60T4供应商 更新时间2025-10-5 14:24:00