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STD1NB60T4	文件：1.08799 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08799 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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STD20NF06LT4MOS(场效应管)	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	ST/意法上传：深圳庞田科技有限公司	ST/意法
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详细参数

型号：
STD1NB60T4
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 1A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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