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STD17NF03L	文件：264.41 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL 30V - 0.038ohm - 17A - DPAK/IPAK STripFET??POWER MOSFET Description This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a rema 文件：264.41 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD17NF03L	文件：413.42 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL 30V - 0.038 - 17A - DPAK/IPAK STripFETII MOSFET Description This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a rema 文件：413.42 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD17NF03L	文件：312.03 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 30V - 0.038ohm - 17A - DPAK/IPAK STripFET TM II Power MOSFET 文件：312.03 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD17NF03L	文件：1.68819 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.68819 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD17NF03L	文件：988.19 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：988.19 Kbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
STD17NF03L-1	文件：413.42 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL 30V - 0.038 - 17A - DPAK/IPAK STripFETII MOSFET Description This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a rema 文件：413.42 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD17NF03LT4	文件：413.42 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL 30V - 0.038 - 17A - DPAK/IPAK STripFETII MOSFET Description This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a rema 文件：413.42 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD17NF03L_07	文件：312.03 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 30V - 0.038ohm - 17A - DPAK/IPAK STripFET TM II Power MOSFET 文件：312.03 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD17NF03L-1	文件：1.68905 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.68905 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD17NF03L-1	文件：312.03 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 30V - 0.038ohm - 17A - DPAK/IPAK STripFET TM II Power MOSFET 文件：312.03 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
IPAK
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
30
RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)：
0.06
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.05
Drain Current (Dc)_max(A)：
17
PTOT_max(W)：
30
Qg_typ(nC)：
4.8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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