首页>STD13NM60N>规格书详情
STD13NM60N中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
STD13NM60N规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100 avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
Applications
• Switching applications
产品属性
- 型号：
STD13NM60N
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STM进口 |
17+ |
TO-252 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
ST/ |
24+ |
TO252 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-252-3 |
16900 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO252 |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 | ||
ST(意法) |
25+ |
TO-252-2(DPAK) |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
ST |
26+ |
TO-247 |
86720 |
代理授权原装正品价格最实惠 本公司承诺假一赔百 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-252 |
25836 |
新到现货，只做全新原装正品 |
询价 | ||
ST/意法 |
2022+ |
TO-252 |
8000 |
只做原装支持实单,有单必成。 |
询价 | ||
ST/意法 |
2023+ |
TO-252 |
5000 |
全新原装正品,优势价格 |
询价 |
