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STD110N02R	文件：102.59 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：102.59 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
STD110N02RT4G	文件：102.59 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：102.59 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
STD110N02R	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，24V，110A，4.6mΩ Automotive Power MOSFET. 24V, 110A, 4.6 mOhm, Single N-Channel, DPAK, Logic Level. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • Planar HD3e Process for Fast Switching Performance\n• Body Diode for Low trr and Qrr and Optimized for Synchronous Operation 24 VOLTS\n• Low Ciss to Minimize Driver Loss\n• Optimized Qgd * RDS(on) for Shoot-Through Protection\n• Low Gate Charge\n• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable\n• RoHS Compli;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD110N02R	文件：260.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 110A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 24V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.1mΩ(TYP.)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：260.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTD110N02R	文件：102.59 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：102.59 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD110N02R	文件：64.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：64.11 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
24
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2
ID Max (A)：
110
PD Max (W)：
110
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
6.2
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
4.6
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
23.6
Ciss Typ (pF)：
2710
Package Type：
DPAK-3

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