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CBS10S30	文件：140.94 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiodeSiliconEpitaxial	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
CUS10S30	文件：136.58 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyBarrierDiodeSiliconEpitaxial	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
F10S30	文件：45.23 Kbytes Page：1 Pages	LVXSeriesPowerMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
FS10S30CT	文件：299.35 Kbytes Page：2 Pages	10.0AmpereSurfaceMountDualSeriesConnectionUltraFastRecoveryRectifiers Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MGBR10S30	文件：136.7 Kbytes Page：3 Pages	MOSGATEDBARRIERRECTIFIER	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
S10S30	文件：219.63 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS(10A,30-60V) SWITCHMODEPOWERRECTIFIERSD2PAKSURFACEMOUNTPOWERPACKAGE TheD2PAKPowerrectifieremploystheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artdevicehavethefollowingfeatures: LowForwardVoltage. LowSwitchingnoise. HighCurrentCapacity Gu	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
S10S30PT	文件：98.63 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
SDB10S30	文件：618.95 Kbytes Page：9 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode SiliconCarbideSchottkyDiode •Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide •Switchingbehaviorbenchmark •Noreverserecovery •Notemperatureinfluenceontheswitchingbehavior •Noforwardrecovery	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SDP10S30	文件：618.95 Kbytes Page：9 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode SiliconCarbideSchottkyDiode •Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide •Switchingbehaviorbenchmark •Noreverserecovery •Notemperatureinfluenceontheswitchingbehavior •Noforwardrecovery	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SDP10S30	文件：620.81 Kbytes Page：9 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SDT10S30	文件：618.95 Kbytes Page：9 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode SiliconCarbideSchottkyDiode •Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide •Switchingbehaviorbenchmark •Noreverserecovery •Notemperatureinfluenceontheswitchingbehavior •Noforwardrecovery	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SM10S30A	文件：2.51046 Mbytes Page：5 Pages	Junctionpassivationoptimizeddesignpassivatedanisotropicrectifiertechnology	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
SM10S30A	文件：2.50249 Mbytes Page：5 Pages	8000WTransient00WVoltageSuppressor	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

详细参数

型号：
STD10S30
制造商：
Infineon Technologies AG

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
千层芯半导体(深圳)有限公司	STD-10SF-103-NI	Norsat	23+	模块	400		询价
深圳市纽联电子有限公司	STD1109-102M-B	CHILISIN/奇力新	Wl116116H85	3OHM460MA	5000	全新原装现货样品可售	询价
深圳庞田科技有限公司	STD1109T-100M-B-N	YAGEO/国巨	2023+	1109	48000	AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站	询价
深圳市中亿伟业电子有限公司	STD1109T101MBS	CHILISIN	2018+	SOP/DIPQFP	674	原装假一赔十	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	STD1109T-101MB-S	CHILISIN/奇力新	21+		15000	原厂VIP渠道,亚太地区一级代理商,可提供更多数量!	询价
上海市鑫鸿达电子	STD1109T-101M-G	CHILISIN/奇力新	2022+		6348	全新原装货期两周	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	STD1109T-120T-B-N	YAGEO/国巨	15+Rohs	SMD	326000		询价
深圳市科芯源微电子有限公司	STD1109T-120T-B-N	YAGEO/国巨	24+	SMD	98000	全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	STD1109T-470M-B-C	CHILISIN/奇力新	23+	SMD	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳廊盛科技有限公司	STD1109T-470M-B-C	CHILISIN/奇力新	2022	SMD	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价

更多STD10S30供应商更新时间2024-5-25 14:26:00

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