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STF10P6F6	文件：1.20301 Mbytes Page：24 Pages	P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF10P6F6	文件：1.20288 Mbytes Page：24 Pages	P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications Description ThesedevicesareP-channelPowerMOSFETs developedusingtheSTripFET™F6technology, withanewtrenchgatestructure.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP10P6F6	文件：1.20301 Mbytes Page：24 Pages	P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP10P6F6	文件：1.20288 Mbytes Page：24 Pages	P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications Description ThesedevicesareP-channelPowerMOSFETs developedusingtheSTripFET™F6technology, withanewtrenchgatestructure.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP10P6F6	文件：490.86 Kbytes Page：15 Pages	P-channel60V,0.15廓typ.,10ASTripFET??VIDeepGATE??PowerMOSFETinDPAKandTO-220packages Description ThesedevicesareP-channelPowerMOSFETsdevelopedusingtheSTripFET™F6technology,withanewtrenchgatestructure.TheresultingPowerMOSFETsexhibitverylowRDS(on)inallpackages. Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP10P6F6	文件：1.09165 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STU10P6F6	文件：1.20301 Mbytes Page：24 Pages	P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STU10P6F6	文件：1.20288 Mbytes Page：24 Pages	P-channel-60V,0.13Ωtyp.,-10ASTripFET™F6PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Features •Verylowon-resistance •Verylowgatecharge •Highavalancheruggedness •Lowgatedrivepowerloss Applications •Switchingapplications Description ThesedevicesareP-channelPowerMOSFETs developedusingtheSTripFET™F6technology, withanewtrenchgatestructure.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	STD10P6F6IC	ST/意法	23+	TO252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	STD10P6F6IC	ST/意法	23+	TO252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市博中泰实业有限公司	STD10P6F6IC	ST/意法	24+	TO252	60000		询价
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