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STD105N10F7AG	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车级N沟道100 V、6.8 mOhm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证 \n• 处于市面上最低的RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;	ST 意法半导体	ST
STD105N10F7AG	文件：664.05 Kbytes Page：14 Pages	High avalanche ruggedness 文件：664.05 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD10NF10T4	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST TO-252	ST 上传：深圳市轩嘉盛电子有限公司	ST
STD10NM60N	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST TO-252	ST 上传：瀚佳科技(深圳)有限公司	ST
STD10P6F6	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST TO-252	ST 上传：深圳市轩嘉盛电子有限公司	ST

技术参数

Package：
DPAK
Grade：
Automotive
VDSS(V)：
100
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.008
Drain Current (Dc)_max(A)：
80
PTOT_max(W)：
120
Qg_typ(nC)：
61

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