丝印：100N10LF7；Package：DPAK；Automotive-grade N-channel 100 V, 5 mΩ typ., 80 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a DPAK package

Feature  Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified  Among the lowest RDS(on) on the market  Excellent FoM (figure of merit)  Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity  High avalanche ruggedness Applications  Switching applications Description This N-channel P

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Automotive-grade N-channel 100 V, 5 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。\n • 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证\n• 处于市场上最低RDS(on) 的行列\n• 出色的品质因数（FoM）• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力\n• 坚固的抗雪崩能力;

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TO-252

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