STD100N10LF7AG

丝印：100N10LF7；Package：DPAK；Automotive-grade N-channel 100 V, 5 mΩ typ., 80 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a DPAK package

Feature Designedforautomotiveapplicationsand AEC-Q101qualified AmongthelowestRDS(on)onthemarket ExcellentFoM(figureofmerit) LowCrss/CissratioforEMIimmunity Highavalancheruggedness Applications Switchingapplications Description ThisN-channelP

STD100N10LF7AG

Automotive-grade N-channel 100 V, 5 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package; • 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证\n• 处于市场上最低RDS(on) 的行列\n• 出色的品质因数（FoM）• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力\n• 坚固的抗雪崩能力;

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。\n \n