首页>STD100N10F7>规格书详情
STD100N10F7中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
| 厂商型号 |
STD100N10F7 |
| 功能描述 | N-channel 100 V, 6.8 mΩ typ., 80 A STripFET™ F7 Power MOSFETs in D2PAK, DPAK, TO-220FP, I2PAK and TO-220 packages |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | DPAK |
| 文件大小 |
652.33 Kbytes |
| 页面数量 |
28 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-25 15:36:00 |
| 人工找货 | STD100N10F7价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STD100N10F7规格书详情
Features
• Among the lowest RDS(on) on the market
• Excellent FoM (figure of merit)
• Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
• High avalanche ruggedness
Applications
• Switching applications
Description
These N-channel Power MOSFETs utilize STripFET™ F7 technology with an
enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also
reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
产品属性
- 型号：
STD100N10F7
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST专家 |
TO-252-3 |
23500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ST/意法 |
22+ |
TO-252-3 |
60000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
HIROSE/广濑 |
2508+ |
/ |
287692 |
一级代理，原装现货 |
询价 | ||
ST |
25+ |
70000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | |||
ST/意法 |
21+ |
TO-252-3 |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-252-3 |
60000 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ST专家 |
24+ |
TO-252- |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-252-3 |
7500 |
原装现货,专业配单专家 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-252 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST |
1948+ |
TO252 |
18562 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 |
