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STC6075Q	文件：434.11 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon Transistor Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •Highcollectorbreakdownvoltage :VCEO=90V •Lowcollectorsaturationvoltage :VCE(sat)=0.5V(MAX.)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STC6075Q	文件：434.11 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon Transistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STU6075	文件：28.4 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:600Watts FEATURES: 600Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min.) TypicalIRlessthen1mAabove10V Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STU6075	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ6075	文件：483.079 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
SZ6075	文件：482.201 Kbytes Page：2 Pages	5W75VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
SZ6075	文件：57.49 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ6075	文件：43.65 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ6075	文件：476.37 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGERANGE:3.3-200V POWER:5.0Watts Features •CompleteVoltageRange3.3to200Volts •Highpeakreversepowerdissipation •Highreliability •Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
T6075	文件：58.96 Kbytes Page：2 Pages	TRANSFORMERSFORDIGITALAUDIODATATRANSMISSION	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse

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深圳市中福国际管理有限公司	STC608AD-3V	ST	21+	DIPSOPTSSOPLQFP	23480		询价
深圳市煦洪科技有限公司	STC608AD-3V-35I-DIP28	ST	25+	SKDIP28	18000	全新原装	询价
深圳市腾亿芯科技有限公司	STC608AD-3V-35I-DIP28	ST	25+	SKDIP28	16900	原装，请咨询	询价
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